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高純鉻靶的目標(biāo)晶粒尺寸和分布：通常，目標(biāo)材料具有多晶結(jié)構(gòu)，并且晶粒尺寸可以在微米到毫米的數(shù)量級(jí)上。 對(duì)于相同組成的靶材，細(xì)顆粒靶材的濺射速率比粗顆粒高純鉻靶的濺射速率快，而晶粒尺寸較小的靶材具有更均勻的沉積膜厚度分布。 通過真空熔融法制造的靶材可以確保塊內(nèi)沒有孔，但是通過粉末冶金法制造的高純鉻靶很可能包含一定數(shù)量的孔。 孔的存在會(huì)在濺射過程中引起異常放電，從而產(chǎn)生雜質(zhì)顆粒。 此外，由于其密度低，在操作，運(yùn)輸，安裝和操作過程中，帶有孔的目標(biāo)很容易破碎。
目標(biāo)處理流程：集成電路制造用濺射靶的加工工藝主要包括熔煉，均質(zhì)化，壓力加工，機(jī)械加工等工藝。 在嚴(yán)格控制靶材純度的基礎(chǔ)上，鉻靶、鈮靶、鈦鋁靶通過優(yōu)化壓力處理工藝，熱處理?xiàng)l件和機(jī)械加工條件，調(diào)整靶材的晶粒取向和晶粒尺寸，滿足濺射工藝要求。
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